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我国研制成5至8微米波段半导体量子级联激光器

2000-02-10 来源:光明日报 记者 张学全 我有话说

新华社上海2月9日电(记者张学全)我国科学家历经5年艰辛攻关,现已研制成首批5至8微米波段半导体量子级联激光器,从而使我国成为世界上能研制此类高技术激光器的第二个国家。

中科院上海冶金研究所李爱珍研究员等科研人员研制的这种激光器,可用于现代通讯、环境保护、国家安全等领域。它是环保领域用于痕量气体监测和分子光谱应用、通讯领域用于信号发射与接收必不可少的高技术。

据介绍,传统的半导体激光器的激射波长由半导体材料的导带和价带之间的带隙大小决定,只有直接带隙的半导体材料才能实现激射,由于自然界缺少这种中远红外波段的天然的理想材料,因此我国中远红外波段半导体激光器很难得以发展和获得应用。而量子级联激光器其激射波长与半导体材料带隙无关,且输出功率大、特征温度高。它的问世是中远红外波段半导体激光器研制的一个突破性进展。

上海冶金研究所李爱珍等研究人员研制的5至8微米半导体量子级联激光器,在理论、结构设计、材料生长、材料与器材表征方面都具有难度极大的开创性,成功地生长了一批高难度的激光器所需优质材料,并建立了我国首台表征中远红外激光器的发射光谱测量系统,创造性地解决了表征方法和技术,正确地表征了激光器的光学特性,其测量结果与美国朗讯贝尔实验室的发射光谱测量结果相吻合。

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